025umi线光刻机是指使用i线水银灯波长365nm光源的半导体光刻机，采用的光波长为365纳米，它可用于制造存储器处理器和控制器等晶圆，i线光刻机线宽能到025um，最小是015um。

我国光刻机在不断发展但是与国际三巨头尼康佳能中高端光刻机市场已基本没落ASML中高端市场近乎垄断比差距很大光刻机是芯片制造的核心设备之一，按照用途可以分为好几种有用于生产芯片的光刻机有用于封装的光刻。

28纳米根据中国人民网显示，2023年中国已经成功研发出国产第一台28纳米nm光刻机，该光刻机预计在年底能够交付使用。

国产光刻机突破封锁，成功研制22nm光刻机，中国芯正在逐渐崛起高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有12亿美金一台的光刻。

11台光刻机是22纳米的中国光刻机现在达到了22纳米，在上海微电子技术取得突破之前，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90纳米制程的芯片。

14nm根据穆峰数码网查询得知，光刻机又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。

光刻机cd15nm是指一个硬件的指标，现在芯片都是7nm工艺。

2纳米还是构想或许在先进实验室有原理能实现它，市面上并无能够商用的“光刻机”目前全世界最先进的制程还在3nm， 2nm的技术预计 2025年会投入商用所以预估最快2024年2纳米光刻机才会正式问世。

这个消息背后，到底意味着什么呢这个突破亮点很多，其中最值得关注的有几个点，量子位简单总结如下光源粗刀刻细线这个国产的光刻机，采用365纳米波长光源，属于近紫外的范围通常情况下，为了追求更小的纳米工艺，光刻。

比较厉害1高集成度035纳米的最小工艺可以制造出非常小的芯片线宽，从而实现更高的集成度，使得芯片可以容纳更多的晶体管和电路，提高了芯片的性能和功能2低功耗035纳米的最小工艺可以制造出更小的晶体管。