摘要光刻机是光刻工艺的核心设备，光刻的工艺水平直接决定芯片的制程和性能水平，目前光刻机做的最好的国家就是荷兰，我国虽然也有研制光刻机的能力，但国产光刻机与国外顶尖光刻机存在的差距比较明显下面来了解下国产光；也就是说，我们的国产光刻机目前可以做到90纳米工艺之前有网友爆料，上海微电子将于2020年12月下线首台采用ArF光源的SSA80010W光刻机，这是一台国产浸没式DUV光刻机，可实现单次曝光28nm节点所以网络里一直流传着这个。

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干涂底旋涂光刻胶软烘对准曝光后烘显影硬烘刻蚀检测等工序硅片清洗烘干1硅片清洗烘干Cleaning and PreBaking方法湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙热板150～250C，1～2分。

光刻机工艺节点有哪些

1、半导体设备系列光刻机是半导体工业中的“皇冠”1原理 光刻是指光刻胶在特殊波长光线或者电子束的作用下发生化学变化，通过后续曝光显影刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上的图形精细加工技术激。

2、是90纳米查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列，光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机，最高可以达到5纳米的工艺制作而且即将推出3纳米工艺制作的芯片但是据相关信息。

3、比如中芯国际苦苦等待的EUV光刻机，虽然设备一直没到，但是也没有因此停止研发进程，已经在14nm的基础上研发出“N+1”“N+2”工艺，等同于7nm工艺，公司联合首席执行官兼执行董事梁孟松也透露出，现阶段哪怕不用EUV光刻机，也可以实现7n。

4、光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。

光刻机工艺节点图

芯片制造，光刻机是核心设备目前在光刻机领域，有四个档次，分别是超高端高端中端和低端，分别对应的节点是57nm工艺728nm工艺2865nm工艺和6590nm工艺如今，任何电子设备几乎都离不开芯片，而自从芯片工艺。

1N7节点台积电的7nm工艺分为第一代7nm工艺N7第二代7nm工艺N7P7nm EUVN7+其中，N7和N7P使用的是DUV光刻，为了用DUV制作7nm工艺，除了使用沉浸式光刻外193nm波长的浸润式光刻机，通过水的。