1、2发光原理不同 duv光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为135纳米3光路系统不同 duv主要利用光的折射原理，其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间。

2、极紫外光刻是一种使用极紫外波长的下一代光刻技术，其波长为135纳米，预计将于2020年得到广泛应用几乎所有的光学材料对135nm波长的极紫外光都有很强的吸收，因此，EUV光刻机的光学系统只有使用反光镜。

3、荷兰ASML公司的极紫外光刻机EUV是现在全球最顶尖的光刻机设备，相较于DUV，它把193nm的短波紫外线替换成了135nm的极紫外线，能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸EUV光刻机的光源来自于美国的Cymer，这个135。

4、光刻机国产排名第一的是上海微电子目前全球只有四家能够制造光刻机的公司，分别是荷兰阿斯麦尔日本尼康和佳能中国上海微电子这里说的光刻机指的是euvduv浸润式光刻机所以说，国内仅有一家能够制造光刻机的公司。

5、品牌型号京之果DUV光刻机 系统n257 Duv光刻机能生产最小线宽即最小特征尺寸的大小通常在100纳米左右，但是一些高端的Duv光刻机可以生产出更小的线宽，最小甚至可以到50纳米以下需要注意的是，不同的Duv光刻。

6、采用ArF光源的浸没式DUV光刻机是目前全球使用最广泛的光刻机，可以完成45nm10nm制程的芯片制造，足以应付绝大部分使用场景，中国芯片制造受制于人的局面将得到根本性的改观根据官方通稿，2018年科益虹源实现了自主设计开发的。

7、光刻机的曝光系统最核心的部件之一是紫外光源常见光源分为可见光g线436nm 紫外光UV，i线365nm 深紫外光DUV，KrF 准分子激光248 nm， ArF 准分子激光193 nm 极紫外光EUV，10 ~ 15 nm。

8、光刻机Mask Aligner 又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻。

9、这是一家光刻机核心零部件公司，主要产品为DUV深紫外光刻光源产品系列，是国产光刻机的供应商 北京科益 是国内第一全球第三的193nm ArF准分子激光器企业，光源系统也是光刻机三大核心技术之一因此我们可以。

10、您是想问“阿斯麦DUV光刻机2000i型号分辨率是多少”吗其分辨率是38nm阿斯麦DUV光刻机2000i型号的分辨率和阿斯麦DUV光刻机1980Di型号是相同的，都是支持到38nm的最大分辨率它们都采用了相同的193nm的深紫光源，具有。