尽管有传言说上海微电子明年将会推出28nm的全新光刻机，但是和ASML的EUV光刻机精度依旧相差甚远中国想要生产5nm的光刻机有一个最大的难点，就是自主研发这不光意味着我们需要跨越从28nm到5nm这个巨大的障碍，并且在。

其他设备，如离子注入机抛光机和清洗机，也差不多差距最大的是光刻机目前ASML最先进的EUV光刻机，即将投入三星台积电的7纳米工艺，而国内上海微电子的光刻机，仍停留在90纳米量产的水平 材料方面，日本是全球领先者反观中国。

虽然几年前中芯国际就已经向ASML提交了EUV光刻机的购买，但是直到现在都没有发货，估计是凉凉了，而上海微电子预计在2022年年末交付首台28nm制程的国产光刻机，目前中芯国际虽然已经能研发研制28nm14nm，但是美国最新对。

不过好在在各大企业的不断努力之下，我们在很多细分领域之中取得了一定的突破，目前上海微电子所研发的28纳米光刻机已经下线，通过这台光刻机，我们足以能够完成对于7纳米的生产，当 然如今7纳米只能算是先进制程，并不。