光刻机是芯片制造流程中，光刻工艺的核心设备光刻机Mask Aligner，又名掩模对准曝光机曝光系统光刻系统等，是制造微机电光电二极体大规模集成电路的关键设备光刻机的主要性能指标有支持基片的尺寸范围，分辨。

1 工作原理接近式光刻机是通过将掩模与光刻胶直接接触，然后使用紫外光照射来进行图案转移而步进式光刻机是通过将掩模与光刻胶分开，然后使用光束扫描的方式进行图案转移2 精度接近式光刻机通常具有较高的分辨率。

一般来说是用激光比如说要在玻璃上刻蚀图形，大致步骤为清洗玻璃干燥在玻璃上涂覆光致抗蚀剂即光刻胶有正性和负性之分干燥固化曝光方式很多，如激光直写通过掩模板同时曝光等去胶光刻胶。

先进步进扫描式光刻机所能支持的最大曝光区域exposure field面积是26mm×33mm，而步进式光刻机stepper的曝光区域只22mm×22mm；1985年，一台步进式光刻机样机研制成功经鉴定，它达到了美国4800 DSW的水平如果当时的数据没有出入，那应该是中国第一台分布式光刻机与国外1978年美国的差距相比，时差应为7年回到问题上来，如果成立于1987年的；步进光刻机必须控制的5个环境条件如下1使硅片表面和石英掩模版对准并聚焦2通过对光刻胶曝光，把高分辨率的投影掩模版上图形复制到硅片上3在单位时间内生产出足够多的符合产品质量规格的硅片。

光刻机是掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成步进投影和扫描投影；曝光区域Shot先进步进扫描式光刻机所能支持的最大曝光区域exposure field面积是26mm×33mm步进式光刻机stepper的曝光区域只有22mm×22mm然而，实际芯片可能小于这个尺寸，光刻机的曝光区域必须能够随之做调整。

第四代为步进式投影式光刻机，采用193nm波长的ArF氟化氩准分子激光光源，可实现制程推进到了65130nm第五代为EUV光刻机，选取了新的方案来进一步提供更短波长的光源3市场 目前全球光刻机市场被荷兰的ASML，日本的。