光刻机光刻机作为整个集成电路制造最关键的设备，其设备的性能直接影响到整个微电子产业的发展全球目前最先进的沉浸式光刻机也只有ASML尼康和佳能三家能够生产，单台价格高达几千万美元尼康的GlineIline步进式；曝光系统最核心的部件之一是紫外光源常见光源分为紫外光UV，g线436nmi线365nm深紫外光DUV，KrF 准分子激光248 nm， ArF 准分子激光193 nm极紫外光EUV，10 ~ 15 nm对光源系统的要求a有适当。

600扫描光刻机系列前道IC制造基于先进的扫描光刻机平台技术，提供覆盖前道IC制造90nm节点以上大规模生产所需，包含90nm130nm和280nm等不同分辨率节点要求的ArFKrF及iline步进扫描投影光刻机该系列光刻机可兼容200；月初一条“中科院5nm激光光刻技术突破”的新闻火了，在很多无良自媒体的口中这则新闻完全变了味，给人的感觉像是中国不久将会拥有自己的5nm光刻机，其实真实情况完全不是一回事下面我们就来谈谈这则新闻真实的内容到底是。

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1、duv就是深紫外光，主要是指波长小于iline365nm的紫外光，一般工业上有193arf和248nmkrf的的激光用的都是化学增幅型的光刻胶。

2、该系列光刻机不仅可用于基板尺寸为200mm × 200mm的工艺研发线，也可用于基板尺寸为G25370mm × 470mm和G45730mm × 920mm的AMOLED显示屏量产线 硅片边缘曝光机系列芯片级封装工艺应用 SMEE开发的硅片边缘曝光机。

3、全球目前最先进的沉浸式光刻机也只有ASML尼康和佳能三家能够生产，单台价格高达几千万美元尼康的GlineIline步进式光刻机stepper投影式光刻机在全球晶圆厂大量使用 所有人都知道英特尔作为全球半导体的领军企业，但新型。

4、中兴华为被排除在外，似乎跟2000年前后“EUV光刻机之战”很相似上世纪90年代后期，芯片制程沿着摩尔定律迈进的时候，遭遇技术瓶颈，193nm迟迟无法突破，大家都在寻找取代193nm光刻光源的技术，在那个时代，尼康是当之无愧。

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指436nmi线是指365nm就是iline，g线是指436nm就是gline，高压汞灯中能量最高的两个谱线看拼音kànkān为汉语一级通用规范汉字常用字此字始见于篆文，一说始见于战国文字“看”的古字形一般认为是。