这种28纳米的光刻机，经过多重曝光之后，除了可以生产28纳米的芯片，还可以用生产14纳米甚至10纳米的芯片，这对于我国芯片制造业来说是一个非常振奋人心的消息不过目前芯片更新换代非常快，目前市场已经量产的最先进芯片已经。

哪个厂商现在都没有非常好的方法都是在尝试着突破，因为两纳米的芯片现在这个成功率还不能保证呢国产的光刻机最近下线了，但是国产的光刻机精度很低，28纳米，这个精度如果说提高个三四倍的话可能有用，现在短期内还是没。

自身研发受限，与外企合作受阻 我国在相关的科技领域一直被美国打压了几十年，这导致我国相关领域的核心技术始终都无法实现突破，特别是作为制造芯片的关键设备光刻机，目前我们所掌握的精度只能够是45纳米级别的，即便是28纳米。

制造芯片的光刻机，其精度决定了芯片性能的上限，在十二五科技成就展览上，中国生产的最好工科机加工精度为90那里，这相当于2004年上市的奔腾4 CPU的水准，而国外已经精确到十几纳米 光刻机里有两个同步运动的工作台，一个。

荷兰的光刻机对中国禁运由于芯片禁令的实施，阿斯麦没有办法向中国出口光刻机，导致我们在先进制程芯片制造的环节上被卡了脖子，不过好在28纳米上的成熟制程芯片，目前我们已经掌握了光刻机的研发技术。

中科院35项清单部分如下1光刻机 制造芯片的光刻机，其精度决定了芯片性能的上限在“十二五”科技成就展览上，中国生产的最好的光刻机，加工精度是90纳米这相当于2004年上市的奔腾四CPU的水准而国外已经做到了十几。

中国的半导体芯片是28纳米与10纳米相比差3代，具体是28nm20nm14nm10nm这样几代以中芯国际为代表的中国大陆晶圆制造厂商已量产的最先进制程为28纳米，与全球先进主流制程1614纳米和即将问世的10纳米相比相差23代过。

在加之中国很多技术是先用于军事方面，所以我就在想中国肯定在军事方面已经拥有了65甚至28纳米的光刻机技术只是还没有向民用方面转用1华为需要75nm EUV，DUV用处不大 2这个光刻机肯定签订了附加条款，不能给中国。

现在中芯可以做到28纳米，也是现在的主流机器，订单已经排期几年了，现在14纳米的也已经成功下线了，由于良品率太低，现在正在调试，明年肯定能批量生产了，然而这还不是我国最先进光刻，清华大学的双工台4nm光刻机早就完成。