虽然EUV光刻机可以生产7nm及以下制程的芯片，但是自主研发的难度也是相当大要知道，EUV光刻机的零部件就多达10万个，需要全球5000多家供应商提供，甚至连ASML都曾嘲讽我们，就算把图纸给中国，我们也造不出先进的EUV光刻机。

根据专家推测，中国现在光刻机技术和世界顶级水平依然有20年的差距，可以说差距还是比较大的，但是国家已经启动相关的研究工作，相信在所有人的努力下，终有一天会打破技术封锁研发光刻机有哪几点难度第一思想难度在。

中芯国际花费12亿美元从荷兰ASML公司订购的EUV光刻机，因为美国的施压迟迟不能够发货，未来不排除无法到货的可能美国为了彻底切断华为的芯片供给，不断地对台积电进行施压甚至，特朗普想要更改外国直接产品规定来限制。

然而在代表着光刻机技术水平的晶圆制造光刻机方面，上海微装可生产加工90nm工艺制程的光刻机，这是国产光刻机最高水平，而ASML如今已量产7nm工艺制程EUV光刻机，两者差距不得不说非常大光刻机的最小分辨率生产效率。

然而，与荷兰ASML公司拥有的EUV掩模对准器相比，它可以通过高达5纳米的工艺制造而且3nm工艺制作的芯片即将上市不过根据相关信息，预计中国首款采用28nm工艺的国产浸没式光刻机即将交付虽然国产光刻机和ASML的EUV光刻机差距。