1、并且卖给中国公司的稍过时的光刻机也有条款不准用于制造像龙心这类自主研发的CPU芯片美国日本在这个领域都力不从心，成都太给力了在技术方面，ASML光刻机可以使用波长为135纳米的极紫外光EUV，实现14纳米10纳米。

2、以后美国企业向中国出口高科技产品，无非是多了一道税这个税就是许可证税通过游说集团去游说，通过内部关系搞到许可证另一个我很奇怪的事情就是什么是14纳米以下的设备除了除了光刻机有DUV和EUV之分，一定程度上面。

3、没有EUV光刻机做后盾，想要生产7纳米以上的芯片基本上不可能，目前一些中低端光刻机最多只能用于生产14纳米的芯片，就算通过多重曝光之后，最多也只能生产10纳米左右的光刻机虽然中芯国际通过技术工艺上的改进，实现了N+1。

4、人要是没有了脑子，其他部位再怎么完整又有什么用呢，我们只具备自我研发能力却不具备制造能力卡住的，关键就是我们没有自己足够高精度的光刻机，据说国产的光刻机现在已经到了14纳米左右的进度，但是距离人家5纳米的还差太。

5、这一新技术，突破了传统飞秒激光的光衍射极限，把光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸，从传统的1微米量级，首次缩小到纳米级，达到30纳米，大大提高了加工精度。

6、我国在中国制造2025中明确要求，在2025年之前，我国必须完成20~14纳米工艺设备国产化率达到30%的目标，并实现沉浸式光刻机国产化从这份计划中不难看出，中国已经加大了在光刻机领域的研发而中国人一向言出必行，只要下达计划，完成。

7、让人很是迷糊上海微电子的确在做可以实现28纳米制程的国产DUV光刻机只是是否通过验收，到底何时能交付，目前未知28纳米将会是我们国产光刻机的最高工艺水平，严格来说，这个真的算不上高水平，它的前面还有1475。

8、14nm芯片上市公司有英特尔三星电子台积电格芯联发科德州仪器1英特尔Intel14nm是英特尔在2014年推出的制程技术，目前已经在多款处理器中得到应用，如第六代酷睿处理器和第七代酷睿处理器等2三星电子。

9、第三，需补短板的环节，在半导体行业，我们目前在芯片设计方面已经有了海思等实力强大的公司，但在生产环节则不具优势，目前最具竞争力的是中芯国际，已经可以量产14nm制程的芯片，但更高技术的晶圆代工则需要借助于荷兰ASML的光刻机未来。

10、荷兰的光刻机对中国禁运由于芯片禁令的实施，阿斯麦没有办法向中国出口光刻机，导致我们在先进制程芯片制造的环节上被卡了脖子，不过好在28纳米上的成熟制程芯片，目前我们已经掌握了光刻机的研发技术。