1、不仅要达到美国光源和德国镜头的高水平，还要有很多精密的仪器光刻机任重道远这些精密仪器的背后，也需要更多的人才研究技术时间投入和技术积累，也需要大量的资金我相信中国会克服这个困难，不再受其他国家的限制。

2、由于早些年国内对光刻机这块并不算重视，导致中国光刻机的起步晚资金投入少人才也相对不足，这些都是需要解决的问题除非由国家牵头并且进行人才资源的相关倾斜，否则国产光刻机最多也就能达到中端水平，基本上不具备。

3、中国的刻蚀机的确是达到了世界先进水平，光刻机还早，而且就算是这两样都世界先进了，不代表中国芯片业的前路就不艰辛了目前中国的刻蚀机的确领先，5纳米等离子体刻蚀机已经通过台积电验证但是光刻机就差多了，之前新闻。

4、中国光刻机距离世界先进水平，还有较大的差距第一，目前全球最先进的光刻机，已经实现5nm的目标这是荷兰ASML实现的而ASML也不是自己一家就能够完成，而是国际合作才能实现的其中，制造光源的设备来自美国公司镜片。

5、中国光刻机生产落后，关键还是能够买进更先进的机器如果西方国家实施制裁，禁止中国从西方进口，用不了几年，光刻机的生产就是赶不上他们，也不会与他们有大差距成立中国企业基金会，中国银行联盟基金会，给中国的各类装备。

6、不过对于此消息，有人说是真的，有人说是假的让人很是迷糊上海微电子的确在做可以实现28纳米制程的国产DUV光刻机只是是否通过验收，到底何时能交付，目前未知28纳米将会是我们国产光刻机的最高工艺水平，严格来说。

7、中国光刻机历程 1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平而那时，光。

8、如果说上海微电子的光刻机全球领先，大家都不会相信荷兰ASML最新的光刻机为7nm制程工艺，即将量产5nm，上海微电子最新的量产光刻机是90nm，正在研发65nm光刻机也就是说，我国的光刻机与世界先进水平还有很大的差距 真正的差距在哪。

9、目前国内产业链还达不到，必须突破共同难关才能取得，这需要相当长的时间正如中国科学院微电子所院士所说，在光刻机方面国内与国外先进相比相差1520年的距离 即使是国内最先进的上海微电子，也还有相当长的路要走 荷兰。

10、然而在代表着光刻机技术水平的晶圆制造光刻机方面，上海微装可生产加工90nm工艺制程的光刻机，这是国产光刻机最高水平，而ASML如今已量产7nm工艺制程EUV光刻机，两者差距不得不说非常大光刻机的最小分辨率生产效率。