1、总之，光刻机利用的是脉冲激光对芯片进行刻蚀，而不是连续激光。

2、用于生产芯片的光刻机是中国在半导体设备制造上最大的短板，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口，本次厦门企业从荷兰进口的光刻机就是用于芯片生产的设备二工作原理 在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能。

3、第四代为步进式投影式光刻机，采用193nm波长的ArF氟化氩准分子激光光源，可实现制程推进到了65130nm第五代为EUV光刻机，选取了新的方案来进一步提供更短波长的光源3市场 目前全球光刻机市场被荷兰的ASML，日本的。

4、是指在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程并不是单纯的激光，其曝光系统基本上使用的是复杂的紫外光源光刻机工作原理光刻机通过一系列的光源能量。

5、duv光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为135纳米3光路系统不同 duv主要利用光的折射原理其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水。

6、光刻机的原理是利用光刻机发出的光，通过具有图形的光罩，对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，使光罩上的图形复印到薄片上，从而让薄片具有电子线路图的作用光刻机又叫掩模对准曝光机曝光系统光刻。

7、直观的跟大家说一下其中差距，2001年第一代EUV光源实现了功率35瓦，这个目前哈工大是否达到还未知2018年的论文里，哈工大的euv光源只有01w下图是2019年ASML公司EUV功率达到的数值500W记住第一代EUV光源之所以被。

8、光刻机的曝光系统最核心的部件之一是紫外光源常见光源分为可见光g线436nm 紫外光UV，i线365nm 深紫外光DUV，KrF 准分子激光248 nm， ArF 准分子激光193 nm 极紫外光EUV，10 ~ 15 nm。