三星是比较喜欢率先使用最新的技术来抢占首发的，在7nm工艺时就率先使用了EUV光刻机，台积电N7和N7P仍使用的是DUV+SAQP光刻的方式，在工艺上此时三星是领先一些，但由于三星使用的是DDB双扩散工艺，相比台积电的SDB但扩散工艺。

我们找到了台积电7nm 的Design Rules， 可以看到7nm 制程工艺总共用到了13个金属互联层，M0~M12，其中Fin是最小尺寸6nm，使用了SAQP技术后续介绍然后是Poly ，也就是多晶硅 Gate 工艺 ，以及前端的几个线宽比较小的金属互联工艺 M0~。

上文中7nm 工艺参数中的 DP193i 指的就是使用193nm immersion 光刻机和SADP 技术我们找到了台积电7nm 的Design Rules， 可以看到7nm 制程工艺总共用到了13个金属互联层，M0~M12，其中Fin是最小尺寸6nm，使用了SA。