3纳米台湾省的台积电最先进的光刻机目前支持3纳米光刻机lithography又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上；因为这个制作起来非常的困难，而且制作起来的时间也是非常的长。

10纳米据etnews报道，其位于韩国利川的M16工厂的EUV光刻机，可以量产10nm，1a的DRAM的，所以韩国光刻机能造10纳米的东西光刻机是一种用于制作微电子元件的半导体制造设备，使用一种特殊的激光来制造微小的模式和图案，以；目前国产光刻机已经达到了七纳米水平，对于国外的五纳米还处在很大的前进进步阶段。

40纳米光刻机价格

1、而对于目前全球最顶尖的EUV光刻机来说，其售价甚至达到上亿美元比如2018年中芯国际曾经向全球光刻机巨头ALML订购了一台7纳米EUV光刻机，当时付出的代价是12亿美元，这个价格差不多相当于2018年中芯国际一年的利润总额。

2、28纳米根据中国人民网显示，2023年中国已经成功研发出国产第一台28纳米nm光刻机，该光刻机预计在年底能够交付使用。

3、ASML公司最新产品EUV，也就是极紫外线光刻机，预计2019年供货给中芯国际，该设备是全球最高端也是唯一可以生产10纳米以下芯片的光刻机，这对IC行业发展影响巨大 荷兰有家高 科技 公司，叫做ASML，中文叫做阿斯麦公司，是一家专门生产制造电子。

45nm 光刻机

笫一代光刻机是436纳米一切光刻机的核心零件是围绕光源来的，根据光源的改进，光刻机一共可以分为5代，分别是最早的436纳米光刻机，然后第二代是365纳米波长，第三代是248纳米，第四代是193纳米波长，第五代是135。

2纳米还是构想或许在先进实验室有原理能实现它，市面上并无能够商用的“光刻机”目前全世界最先进的制程还在3nm， 2nm的技术预计 2025年会投入商用所以预估最快2024年2纳米光刻机才会正式问世。

smee光刻机28纳米据媒体报道，上海微电子装备SMEE股份有限公司创新技术，在之前90nm的基础上，宣布在2021年至2022年交付国产第一台28nm的immersion式光刻机虽然与当前主流荷兰的7nm芯片制备工艺还有大的差距，但也标志。