再联想到我国今年才有自主产权的28纳米光刻机，你就知道国产顶级光刻机与国外最先进水平的光刻机差距有多大 同样在摩尔定律没有失效的情况下，芯片性能几乎每年都有突破性的进展而芯片因为制程的进步，工艺越先进，单位面积内集成的晶体。

如果让华为自己建设IDM，光刻机这块最多也就等国产28nm节点的设备，不可能自己去研发，目前这设备差不多就是在以举国之力研发，单靠华为自身的力量是不行的代工这块华为倒是可以自己搞，我觉得会比中芯的进展更快 剩下还有EDA这类芯。

光刻机实现国产最大的意义就是解决了芯片问题中芯国际987%的芯片是28nm或更落后的制程贡献的，只要有28nm的光刻机，中芯国际可以用国产光刻机搞定987%的芯片，这就是最大的意义。

答案是否定的要知道华为缺芯事件就是美国从中作梗，更不可能让国内公司轻易购买到高端光刻机来自主造芯尽管ASML公司也是通过在全球各地采购相应精良的零部件来组成最终的光刻机，但是任何零部件都无法避开美国的核心技术。

28纳米根据中国人民网显示，2023年中国已经成功研发出国产第一台28纳米nm光刻机，该光刻机预计在年底能够交付使用。