根据媒体报道，在2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米请注意该报道的标题“重大突破，国产22纳米光刻机通过验收”；发布会上，上海市经济信息化工作党委副书记市经济信息化委主任吴金城透露，在集成电路领域，上海企业已经实现14纳米先进工艺规模量产，90纳米光刻机5纳米刻蚀机12英寸大硅片国产CPU5G芯片等实现突破全市集成电路；至于晶瑞股份，该公司在2020年从某些渠道购买的二手光刻机已经到货利用这台光刻机，笔者相信晶瑞股份很快会传来有关光刻胶技术的好消息众所周知，前段时间台积电官宣了在1nm芯片技术上的突破虽然我国在芯片制程上落后。

并且台积电对于光刻机也是加大引进的力度，台积电方面表示，预计在2021年，台积电EUV光刻机要达到50台的数量，台积电这样做可能是为了让产能不那么紧张那么面对劲敌台积电的动作不断，三星显然是开始着急了，所以就连三星的董事。

是真的1查询昆山政府官网，2023年2月1日，我国首台国产光刻机正式在昆山交付成功，不是研发也不是实验，是正式交付使用，这意味着我国在光刻机的领域突破了0到1的关键阶段，所以昆山光刻机是真的2昆山一般指；涉及系统集成精密光学精密运动精密物料传输高精度微环境控制等多项先进技术目前国内相关的机构也在重点突破光刻机技术，比如中科院光电所已经研究出光刻分辨力达22nm的技术，结合双重曝光技术可以实现10nm芯片的制造但；因此当 硅基芯片发展到5nm工艺的水平后，很难再有更高的突破了 ，因此尽管台积电和三星在争夺3nm工艺的研发技术，其他研发团队已经退而求其次选择另一种芯片研发方式了而 光量子芯片势必会因为无需光刻机的参与，而成为。

不过新一代EUV光刻机还有点早，至少到2022年才能出货，大规模出货要到2024年甚至2025年，届时台积电三星等公司就可以考虑3nm以下的制程工艺了，所以说到2022年光刻机的精度有望达到3nm，要想达到1nm，估计要到2030年了。

俄罗斯宣布研发光刻机，挑战半导体行业格局俄罗斯工业和贸易部副部长Vasily Shpak透露，俄罗斯已着手研发光刻机，预计在2024年将生产350nm光刻机，紧接着在2026年将推出用于130nm制程芯片生产的设备，旨在打破日本尼康和荷兰ASML。