光刻机制造中的微米级别的误差会严重影响芯片的制造，因此需要达到极高的精度要求例如ASML公司的最新款光刻机能够实现高达13纳米的精度，相当于人类头发丝直径的190研发成本巨大光刻机的研发成本非常高，需要投入；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺1972年，武汉无线电元件三厂编写光刻掩模版的制造1977年，我国最早的光刻机GK3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机1978年，1445所在GK3的基础上开发。

据悉，上海微电子有限公司在紫外光源的帮助之下，成功实现了22nm的突破，推动了国产光刻机的发展，向前迈进了一大步一旦技术成熟，意味着22nm光刻机将在中国问世，这将推动国产芯片的进一步发展，同时也给其他平版印刷厂家带来。

光刻机开发属于哪个专业类别

1990年代，n1995年，Cano着手300mm晶圆曝光机，推出EX3L和5步机ASMLFPA2500，193nm波长步进扫描曝光机光学光刻分辨率到达70nm的“极限2000年以来，在光学光刻技术努力突破分辨率“极限”的同时，NGL正在研究，包括极紫外线光刻。

1强大的研发投入光刻机是一个高精尖的技术，其技术难度是全球公认的，如果没有持续强大的研发投入根本不可能到技术领先ASML从成立至今，对于研发的投入都非常大，比如2019年ASML的销售额大概是21亿欧元，而研发费用支出。

1基本上的理科大学都有这个专业，只不过大学不一样，专业知识也不一样2光刻机属于一个各学科集成的产品，泛泛而言，设计到光学机械加工电子电路化学等多个学科知识3光刻机Mask Aligner 又名掩模对准。

中国有自己的光刻机，由中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光实现了22nm分辨率的超分辨光刻装备，为纳米光学加工提供了全新的解决途径在光电所的努。

EUV光刻机主要由三个部分组成EUV光源，光刻镜头和控制系统这三个部分都是EUV技术成功实现的关键21 EUV光源 EUV光源是EUV技术的核心之一，它发射的波长为135纳米的光束目前，开发出能够持续发射这种波长的光源并不。

光刻机开发困难点

据俄罗斯下诺夫哥罗德策略发展机构公文，俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所IPFRAS正在开发俄罗斯首套半导体光刻设备，并对外夸下海口这套光刻机能够使用7nm生产芯片，可于2028年全面投产据报道，这套光刻机的亮点包。