是90纳米查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列，光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机，最高可以达到5纳米的工艺制作而且即将推出3纳米工艺制作的芯片但是据相关信息。

中国的半导体芯片是28纳米与10纳米相比差3代，具体是28nm20nm14nm10nm这样几代以中芯国际为代表的中国大陆晶圆制造厂商已量产的最先进制程为28纳米，与全球先进主流制程1614纳米和即将问世的10纳米相比相差23代过。

我国九十纳米的光刻机，在这个领域水平的应当属于一流水平但是还远远比不上国外的水平，毕竟国外的光刻机能够制作十纳米以内的芯片，而这一年我国目前还是远远无法做到的对此我国也正在努力进行追赶，但是短期之内还暂时无法。

5纳米根据查询光明网显示，截止时间2023年10月2日，世界光刻机釆用finfet工艺，能做到5nm以下光刻机又叫掩模对准曝光机曝光系统光刻系统等，是制造芯片的核心装备。

而我们没有这种高端的东西，我们现在有的光刻机本身精度基本不超过20纳米，可以说就凭这个东西去制造手机芯片，不可能的你现在所使用的骁龙7系列的芯片基本上都是在7纳米左右的程度，就算是6系列的芯片也没有10纳米以上的。

有限公司等一些企业，在光刻机上衣和有自己的成果，这些公式只是在低端市场占比的，高端的就是中科院光电技术研究所的技术，现在光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片，它这个22纳米的属于单次曝光，还。

这家公司可以说是世界上最顶尖的光刻机生产商，而且即便是世界第二也已经被远远甩在了后面， 现在其最先进的EUV极紫外光光刻机已经能够制造7nm以下制程的芯片了，单台光刻机的售价已经超过了一亿美元，而且还不是现货 相比之下，中。

最后，值得一提的是，发展光刻技术所形成的新工艺和新工具体系的应用前景是美好的这些技术将在半导体产业中得到广泛应用，并推动半导体芯片产业和高新技术产业的进一步发展预计在接下来的几年中，光刻机最小纳米数仍将不。