据爆料上海微电子计划2021年交付首台国产28nm的immersion光刻机，通过多次曝光技术可以用于生产14nm和7nm的芯片 中芯国际，在芯片设计代工制造和封装测试这条产业链上，中芯国际是国内技术最强的代工厂华为从去年开始将部分代工订单从；利用电子束激发惰性气体和卤素气体结合形成的气体分子， 向基态跃迁时所产生准分子激光的深紫外光源，将波长进一步缩短至193nm，由于在此过程中遇到了技术障碍，因此采用浸没式immersion等技术进行矫正后，光刻机的极限光刻工艺节点可达28nm。

smee光刻机28纳米据媒体报道，上海微电子装备SMEE股份有限公司创新技术，在之前90nm的基础上，宣布在2021年至2022年交付国产第一台28nm的immersion式光刻机虽然与当前主流荷兰的7nm芯片制备工艺还有大的差距，但也标志；准备好用来做PN结等同于二极管，芯片内部的逻辑电路其实就是二极管的不同电路组合的硼和磷，先在晶圆上涂一层见光会分解的感光物质，然后用专有的光刻机以极细光束照射晶圆芯片能做到几纳米关键就是这个光刻机，刻出。

关于光刻机的分辨率不再作过多介绍，DUV设备以可以实现最高分辨率的是 ASML 193nm DUV光源 NA 135的浸入式光刻机immersion，设备型号一般是从NXT1950到 NXT2000对于这一特征波长和NA的光刻机， 能够实现的分辨率极限就是38nm。

最新消息显示，上海微电子装备计划于2021年交付首台国产28nm的immersion光刻机，即使这一技术的交付对比荷兰ASML公司全球最大的半导体设备制造商之一，光刻机制造领域全球领先有着近20年不足，但对于国内光刻机制造来讲，已经要跨出了很大；在芯片制造领域，中芯国际已实现14nm芯片量产，并着手研发12nm工艺N+1工艺芯片在半导体设备材料领域，上海微电子28nm immersion式光刻机预计将于2021年交付 而 上海新阳则在光刻胶领域实现突破，上海新升的半导体硅片。

向基态跃迁时所产生准分子激光的深紫外光源，将波长进一步缩短至193nm，由于在此过程中遇到了技术障碍，因此采用浸没式immersion等技术进行矫正后，光刻机的极限光刻工艺节点可达28nm。