1、现在ASMLEUV光刻机使用的是波长135nm的极紫外光光源EUV极紫外光刻机使用的135纳米光源是通过一种称为极紫外辐射EUV radiation的技术来实现的EUV光源的产生涉及到多个复杂的步骤首先，EUV光源使用的是一种。

2、曝光系统最核心的部件之一是紫外光源常见光源分为紫外光UV，g线436nmi线365nm深紫外光DUV，KrF 准分子激光248 nm， ArF 准分子激光193 nm极紫外光EUV，10 ~ 15 nm对光源系统的要求a有适当。

3、光刻机采用激光将图形刻印在半导体上，但光是电磁波，不同的光线具有不同的波长如果需要刻印的图形非常微小，而采用的光线波长较大，则刻不出想要的图形就像你不能用拖把书写痕迹粗大在田字格本上写毛笔字笔划细小。

4、光源波长不同曝光分辨率不同1深紫外光刻机使用的是准分子激光，氟化氢激光，其波长范围在200300纳米之间而极紫外光刻机则使用的是极紫外光源，其波长范围在10121纳米之间2深紫外光刻机和极紫外光刻机的曝。

5、光刻机的曝光系统最核心的部件之一是紫外光源常见光源分为可见光g线436nm 紫外光UV，i线365nm 深紫外光DUV，KrF 准分子激光248 nm， ArF 准分子激光193 nm 极紫外光EUV，10 ~ 15 nm。

6、光刻机辐射为紫外光非电离辐射，通常光源不外露没有辐射辐射指的是由场源发出的电磁能量中一部分脱离场源向远处传播，而后不再返回场源的现象辐射分为电离辐射和非电离辐射，光刻机的紫外光源为非电离辐射紫外辐射是。

7、荷兰ASML目前是世界上唯一的EUV光刻机供应商，每台EUV光刻机的价格都超过1亿美元，大功率EUV光源是EUV光刻机的核心基础目前ASML使用高能脉冲激光轰击液态锡靶以形成等离子体，然后产生波长为135纳米的EUV光源，功率约为。

8、1光刻机可以分为用于生产芯片用于封装和用于LED制造按照光源和发展前后，依次可分为紫外光源UV深紫外光源DUV极紫外光源EUV，光源的波长影光刻机的工艺光刻机可分为接触式光刻直写式光刻投影式。

9、紫外光紫外光uV是波长100～400nm的电磁波，所以紫外光可以检测100nm以下光刻机分为紫外光源UV深紫外光源DUV极紫外光源EUV。

10、按照发展轨迹，最早的光刻机光源即为汞灯产生的紫外光源UV之后行业领域内采用准分子激光的深紫外光源DUV，将波长进一步缩小到ArF的193 nm由于遇到了技术发展障碍，ArF加浸入技术成为主流由于157 nm波长的光线不。