1、1光刻机可以分为用于生产芯片用于封装和用于LED制造按照光源和发展前后，依次可分为紫外光源UV深紫外光源DUV极紫外光源EUV，光源的波长影光刻机的工艺光刻机可分为接触式光刻直写式光刻投影式。

2、第五代极紫外EUV光刻机，2010年ASML推出，也是全世界唯一生产EUV光刻机的厂商，采用135nm极紫外光EUV，最小工艺207nm受美国“实体清单”限制，ASML被禁止向中芯国际供应EUV光刻机第四代深紫外DUV光刻机。

3、我们国内确实是既难买又难造高端的光刻机，包括7纳米的和5纳米的，当前就是在这最后的一个端上陷入了现实的两难处境，短期内不可能脱离，是个长期性的现实 只要成功研发出了高端的制造技术，难造就会变成易造了只要即将成功制造出高端。

4、全球能够制造光刻机的国家有三个，一共四家公司可以制造光刻机，荷兰阿斯麦尔日本尼康和佳能中国上海微电子其中唯一能制造高端euv光刻机的只有一家就是荷兰阿斯麦尔，其他三家是duv光刻机专利限制只是制约的一方面。

5、DUV光刻机实现7nm制程理论上193nm光刻机是可以实现7nm节点工艺制程的，但是会使得需要的光罩数量非常多，工艺复杂，量产难度大应当指出，即使导入EUV，也并不是所有流程均由EUV承担，主要是应用在MOS器件关键层，其它对。

6、据路透社3月11日报道，乌克兰的两家主要氖气供应商Ingas和Cryoin的代表对路透社表示，公司已停止运营氖气可以用于眼部激光手术，而半导体级氖气对于制造芯片十分重要路透社根据上述两家以及市场研究公司Techcet的数据计算估计。

7、尽管无法向中国出口EUV光刻机，但中国已经成为ASML的DUV深紫外线光刻机最重要的市场之一公开资料显示，DUV光刻机与EUV光刻机的主要区别在于光源的波长，这决定了芯片的制程DUV光刻机目前尚无法制造出7纳米及以下制程。

8、科益虹源攻克的ArF浸没式激光器技术，可以把国产光刻机一举推向28nm以下的先进制程这是中国半导体产业发展的 历史 性节点采用ArF光源的浸没式DUV光刻机是目前全球使用最广泛的光刻机，可以完成45nm10nm制程的芯片制造。

9、光刻机原理并不难，但要生产其中的零件并不容易光刻机的关键技术物镜制造技术也是一项难以攻克的技术难关光刻机中的光源也是一项难以攻克的技术难关对于深紫外光DUV刻，使用的光源波长是193nm，这是光刻机中的一。

10、目前国产水平在28纳米制程左右，通过处理器内核架构的持续创新，实现在同样制程情况下，每一代处理器性能提升30%以上，并借助国产DUV光刻机的发展，性能再提升50%以上，等到国产EUV光刻机进入量产，7纳米和5纳米制程也就可以。