1、光刻掩膜版的立体切片示意图 第二步晶圆覆膜准备 从砂子到硅碇再到晶圆的制作过程点此查阅，这里不再赘述将准备好的晶圆Wafer扔进光刻机之前，一般通过高温加热方式使其表面产生氧化膜，如使用二氧化硅覆化作为光；光刻机发出的光用于通过带有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光光刻电阻的特性在看到光后会发生变化，从而使掩模中的图形可以复制到薄片上，使薄片具有电子电路图的功能这是光刻的功能，类似于照相机摄影相机拍摄的照片；只能使用5～25次容易累积缺陷上个世纪七十年代的工业水准，已经逐渐被接近式曝光方式所淘汰了，国产光刻机均为接触式曝光，国产光刻机的开发机构无法提供工艺要求更高的非接触式曝光的产品化2接近式曝光。

2、2010年，ASML成功推出了第一台EUV光刻机NXE3100，为EUV光刻技术的发展打下了坚实的基础目前，市场上主流的EUV光刻机是ASML的NXE3400C和NXE3400D这两款光刻机支持7纳米和5纳米节点的EUV量产，后者的生产效率；7nm根据查询哔哩哔哩显示，国内对高科技的人力和财力投资大大增加，国产光刻机与荷兰ASML的差距也变得越来越小，哈工大的频频突破，让中国自研京华激光的光刻机目标直指7nm工艺所以京华激光的光刻机是7nm；光刻机Mask Aligner 又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System是指在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制。

3、光刻机粗对准的标记是置于掩模版和硅片上用于确定它们的位置和方向的可见图形根据查询相关资料信显示，光刻机高精度对准工艺的流程如下，光刻机对准工艺需要的是集成电路的配合，对于集成电路来说，制作工序本身就是一个相对；工作在洁净厂房中截止目前为止，全球EUV光刻机的订单，英特尔有5台，带4台订单，台积电有5台，带2台订单，三星有3台，带3台订单，GF有1台，带1台订单，IMEC有2台，东芝与海力士各有1台及美光有1台订单；ASML，全球领先的光刻机制造商，正在研制一款新的高NA EUV光刻机，可能将成为最后一代这款新机器将具有055 NA高 NA的透镜，分辨率达8nm，旨在尽可能避免在3 nm及以上节点中的双重或多重曝光此外，ASML还在。

4、国际上较先进的集成电路生产线是1微米线，即光刻的分辨线宽为1微米日本两家公司成功地应用加速器所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻，制成了线宽为01微米的微细布线，使光刻技术达到新的水平。