阿斯麦DUV光刻机2000i型号的分辨率和阿斯麦DUV光刻机1980Di型号是相同的，都是支持到38nm的最大分辨率它们都采用了相同的193nm的深紫光源，具有相同的光学及量产指标DUV光刻机的分辨率是指在曝光过程中，能够清晰显示出；阿斯麦成立于1984年，入局光刻机市场晚于尼康1917年成立，1980年发售其首款半导体光刻机和佳能1937年成立，1970年推出日本首台半导体光刻机成立之初，阿斯麦只有31名员工，还曾面临资金链断裂的窘境 36年间，这家几近破产的小公司。

1980年代的光刻机主要用于生产计算机芯片，包括微处理器内存芯片IO芯片逻辑芯片以及其他电子元器件它们通过光刻技术来设计复杂的集成电路，使电子设备具有更强大的功能，提高了其处理能力和存储能力，节约了空间和成本；光刻机和刻蚀机的区别刻蚀相对光刻要容易光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案或者没有图案的部分，留下剩余的部分ldquo光刻rdquo是指在涂满光刻胶的晶圆或者叫硅片上盖上事先。

1980年代，美国SVGL公司开发出第一代步进扫描投影曝光机，集成电路图形线宽从05m缩小到035m节点1990年代，n1995年，Cano着手300mm晶圆曝光机，推出EX3L和5步机ASMLFPA2500，193nm波长步进扫描曝光机光学光刻分辨率到达70nm的。

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1、接着，弘芯又花了大价钱，把荷兰 ASML 阿斯麦尔 公司的光刻机买了进来，这台型号为 1980Di 的光刻机，理论最小能支持 10nm 以内的芯片制程 为了迎接这台价值连城的光刻机，弘芯还专门为它搞了一个进场仪式，背景板上赫然写着。

2、设备方面， 除去一期生产线需要的300余套设备之外，更是通过各种关系引进了一台型号为TWINSCAN NXT1980Di的高端光刻机 ，这种光刻机是大陆唯一一台可以生产7nm芯片的高端光刻机当初该设备成功引进时，甚至还专门弄了一个。

3、中国光刻机历程 1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平而那时，光。

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看看同期的光刻机，佳能1970年推出日本首台半导体光刻机尼康1980年发售首款半导体光刻机而阿斯麦ASML直到1984年才成立再看一根时间线，1983年倪光南放弃了高薪留任加拿大工作的机会回国，自己掏了8万美元购买了一集。

光刻机能制造7纳米的芯片 光刻机在加工芯片的过程中，通过光源，形状控制的方法，将光束射过线路图，处理好光学误差，再将线路图的比例缩小，用化学的方法将电路图刻在硅片上在晶圆上开出各种微小的空间注入离子，生成PN。