是90纳米查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列，光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机，最高可以达到5纳米的工艺制作而且即将推出3纳米工艺制作的芯片但是据相关信息。

1荷兰ASML公司 全称 Advanced Semiconductor Material Lithographyasml，目前该全称已经不作为公司标识使用asml，公司的注册标识为ASML Holding NVasml，中文名称为阿斯麦中国大陆艾司摩尔中国台湾 2光刻机Mask Aligner 又。

其分辨率是38nm阿斯麦DUV光刻机2000i型号的分辨率和阿斯麦DUV光刻机1980Di型号是相同的，都是支持到38nm的最大分辨率它们都采用了相同的193nm的深紫光源，具有相同的光学及量产指标DUV光刻机的分辨率是指在曝光过程中。

现在ASMLEUV光刻机使用的是波长135nm的极紫外光光源EUV极紫外光刻机使用的135纳米光源是通过一种称为极紫外辐射EUV radiation的技术来实现的EUV光源的产生涉及到多个复杂的步骤首先，EUV光源使用的是一种。

3月28日，阿斯麦CEO公开表示，不卖光刻机给中国，不是阿斯麦自己决定的在光刻机领域，阿斯麦是当之无愧的一哥，订单给谁不给谁，不是它说了算，还能是谁决定呢这个站在产业链顶端的大佬，在美国面前也是小弟一家。

阿斯麦生产的极紫外EUV光刻机，每台卖到令人咋舌的12亿欧元，而且全球只此一家#160EUV光刻机先后经历了22年的马拉松式研发，耗资超过200亿欧元1983年，ASM与飞利浦宣布将创立研制光刻设备的合资公司，这家合资。

对于光刻机来说，光学成像分辨率是其工艺制程的主要决定因素，受到物镜孔径和光源波长的限制，阿斯麦光刻机的紫外光的光源一般是激光器，比如2013年阿斯麦的EUV光刻机研发成功，当时使用的光源是波长为193纳米的准分子ArF激光。

新一代光刻机相比之前的设备肯定各方面都会更先进，关于新一代EUV光刻机的性能参数，阿斯麦公司并未透露太多，阿斯麦公司制造新一代光刻机肯定会在制造的良率工艺水平等方面都会有很大提升和进步，因为性能和各方面都更。

成都光电所光电所精品光刻机用于集成电路，半导体元器件，光电子器件等的研制和生产。

asm 光刻机，专业从事半导体技术研发，生产制程设备，专业工程师团队，实力品牌，服务至上，欢迎联系，现货供应二手半导体制程设备，LCD制程设备。

小型光刻机 半导体设备，芯片设备小型光刻机 半导体设备，芯片设备 光刻机设备 微型光刻机。