11822年法国人Nicephore niepce发明了光刻机，在早期阶段其功能简单，而且使用的材料也是较为粗糙的，通过材料光照实验之后，Nicephore niepce发现能够复制一种刻着在油纸上的印痕，而在其出现在玻璃片上后，经过一段时间的日。

法国人Nicephore niepce尽管光刻机发明的时间较早，但并没有在各行业领域之中被使用，直到第2次世界大战时，该技术应用于印刷电路板，所使用的材料和早期发明时使用的材料也已经有了极大区别，在塑料板上通过铜线路制作。

1947年，贝尔实验室发明第一只点接触晶体管从此光刻技术开始了发展1959年，世界上第一架晶体管计算机诞生，提出光刻工艺，仙童半导体研制世界第一个适用单结构硅晶片1960年代，仙童提出CMsC制造工艺，第一台C计算机BM360，并。

笫一代光刻机是436纳米一切光刻机的核心零件是围绕光源来的，根据光源的改进，光刻机一共可以分为5代，分别是最早的436纳米光刻机，然后第二代是365纳米波长，第三代是248纳米，第四代是193纳米波长，第五代是135。

SMEE光刻机研发成功的意义上海微电子公司所研发的“SMEE光刻机”是一台性能堪比先进光刻机的制造设备，其光刻效果能够满足生产高质量的芯片这一研发的成功，也打破了美国市场对于中国光刻机的垄断，赢得了国内技术的独立与。

中国有自己的光刻机，由中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光实现了22nm分辨率的超分辨光刻装备，为纳米光学加工提供了全新的解决途径在光电所的。

“工欲善其事，必先利其器”，光刻机就是芯片制造中的那一把“利器”，也被誉为半导体产业皇冠上的明珠光刻机的主要作用是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上，在某种程度上来说，光刻工艺的决定了半导体线路的线宽，同时也决定了芯片。

光电所微细加工光学技术国家重点实验室研制出来的SP光刻机是世界上第一台单次成像达到22纳米的光刻机，结合多重曝光技术，可以用于制备10纳米以下的信息器件这不仅是世界上光学光刻的一次重大变革，也将加快推进工业40。

其因此荣获2000年诺贝尔物理奖，但同时间也发展出近代实用的集成电路的罗伯特·诺伊斯，却早于1990年就过世将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜thinfilm集成电路另有一种厚膜thickfilm集成电路。