5纳米5nm光刻机的原意应该是可以实现5纳米制程的光刻机，是EUV极紫外线光刻机EUV使用了135纳米的极紫外线激光源，比193纳米深紫外线光源的DUV光刻机能力更强纳米符号nm，即为毫微米，是长度度量单位1；然而，与荷兰ASML公司拥有的EUV掩模对准器相比，它可以通过高达5纳米的工艺制造而且3nm工艺制作的芯片即将上市不过根据相关信息，预计中国首款采用28nm工艺的国产浸没式光刻机即将交付虽然国产光刻机和ASML的EUV光刻机差距。

对于国产光刻机落后的局面，我们必须抱以更大的耐心和信心一对于低端芯片用户而言，精度90nm的国产光刻机必须存在很多人说起芯片制程，言必2nm5nm7nm EUV，至于90nm制程工艺，认为根本没有存在的必要其实，这；第二，中国进口最先进的光刻机，是7nm2018年，中芯国际向荷兰ASML公司定制了一台7nm工艺的EUV光刻机，当时预交了12亿美元的定金请注意，当时这台机器还没有交付，而是下订单但国内市场上，其实已经有7nm光刻机。

彼时，美国能源部与英特尔牵头，集结全球领先巨头与科技力量成立了EUVLCC而ASML则幸运地加入了这一阵营之中，而作为美国光刻机对手的尼康佳能则没有加入的机会在全球顶尖科技巨头的集体攻关下，EUV光刻机实现了突破。

euv光刻机制程节点

1、全球最先进的光刻机几乎都被ASML公司一家所垄断，像台积电三星的先进EUV光刻机都是来自于ASML公司，因为产量有限，所以ASML公司的光刻机也一直都是供不应求的，有钱也不一定能买到此前，国内的 科技 企业就曾多次向。

2、不过新一代EUV光刻机还有点早，至少到2022年才能出货，大规模出货要到2024年甚至2025年，届时台积电三星等公司就可以考虑3nm以下的制程工艺了，所以说到2022年光刻机的精度有望达到3nm，要想达到1nm，估计要到2030年了。

3、一如今国内光刻机能达到多少纳米的工艺制作查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列，光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机，最高可以达到5纳米的工艺制作而且即将推出3。

euv光刻机的工作原理

那么，是否意味着国内只能够生产90nm工艺制程的芯片呢。

极紫外光刻是一种使用极紫外波长的下一代光刻技术，其波长为135纳米，预计将于2020年得到广泛应用几乎所有的光学材料对135nm波长的极紫外光都有很强的吸收，因此，EUV光刻机的光学系统只有使用反光镜。