1、目前国产光刻机已经达到了七纳米水平，对于国外的五纳米还处在很大的前进进步阶段。

2、3纳米根据查询百度百科信息显示，截止2023年10月18日最顶尖的光刻机是ASML的EUV光刻机，其能够制造3纳米的芯片，在ASML的规划中，到2024年或2025年会交付全新一代的HighNA极紫外光刻机；此外，安芯光刻机的7纳米最小线宽创下了国际上同类产品的纪录，且具有完全自主研发知识产权的特点作为国内高端芯片制造装备中的代表，其应用前景广阔，有望在助力我国制造业高质量发展上发挥重要作用；1佳能光刻机22纳米，光刻机是制造微机电光电二极体大规模集成电路的关键设备光刻机可以分钟两种，分别是模板和图样大小一致的contactaligner，曝光时模板紧贴芯片第二是类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的；亲，您好很高兴为您解答 MEE5光刻机的精度为25纳米；02纳米的光刻机意味着其转移掩膜图像的分辨率为02nm光刻机的纳米可以指这台光刻机转移图形时所能达到的最小线宽极限，可以理解为其转移掩膜图像的分辨率；换言之，台积电仅在光刻机上就花费了300亿美元在荷兰的垄断下，10亿台光刻机，当年能生产多少芯片据相关数据显示，目前ALSM提供的摄影机的理想产能为每小时200片12英寸晶圆，其中大部分处于理想产能的50%以华为的990。

3、2纳米还是构想或许在先进实验室有原理能实现它，市面上并无能够商用的“光刻机”目前全世界最先进的制程还在3nm， 2nm的技术预计 2025年会投入商用所以预估最快2024年2纳米光刻机才会正式问世；5纳米5nm光刻机的原意应该是可以实现5纳米制程的光刻机，是EUV极紫外线光刻机EUV使用了135纳米的极紫外线激光源，比193纳米深紫外线光源的DUV光刻机能力更强纳米符号nm，即为毫微米，是长度度量单位1。

4、中国高端光刻机什么时候能研制出来一中国光刻机现在多少纳米2018年3月，上海微电子的90nm光刻机项目通过正式验收也就是说，我们的国产光刻机目前可以做到90纳米工艺之前有网友爆料，上海微电子将于2020年12月下线首。